Tin-Fojl tar-Ram Ibbanjat: Karatteristiċi Ta' Materjal Konduttiv Elettroniku

Apr 11, 2026

Ħalli messaġġ

Il-fojl tar-ram miksi-landa huwa materjal kompost iffurmat bid-depożitu ta' kisja tal-landa fuq sottostrat tal-fojl tar-ram. Tgħaqqad il-konduttività għolja tar-ram mal-proprjetajiet protettivi tal-landa, li żżomm pożizzjoni importanti fl-industrija tal-manifattura tal-elettronika. Il-ħxuna tas-sottostrat tagħha hija tipikament bejn 0.035 u 0.15 mm, u l-ħxuna tal-kisi tal-landa tal-wiċċ mhix inqas minn 0.3 μm, li tista 'tiġi aġġustata għal madwar 2.0 μm skont ir-rekwiżiti tal-applikazzjoni. L-adeżjoni bejn il-kisi u s-sottostrat tilħaq il-livell 5B, u b'mod effettiv tipprevjeni d-delaminazzjoni waqt l-ipproċessar.

 

F'termini ta' prestazzjoni, il-fojl tar-ram-ibbanjat bil-landa juri vantaġġi multipli. Rigward il-konduttività, il-kisi tal-landa pura miksub permezz ta 'proċess ta' mhux-issaldjar iżomm reżistenza tal-wiċċ ta '0.1 ~ 0.15Ω, u r-reżistenza tal-kuntatt ta' prodotti bbanjati bil-landa b'żewġ -naħat- tista 'tiġi kkontrollata taħt 0.5mΩ, li tissodisfa r-rekwiżiti ta' trasmissjoni ta 'ċirkwiti ta' preċiżjoni. F'termini ta 'reżistenza għall-korrużjoni, is-saff protettiv iffurmat mill-kisi tal-landa inaqqas b'mod sinifikanti l-proċess ta' ossidazzjoni u jestendi ħafna l-ħin ta 'falliment tal-materjal f'ambjenti umdi. Anke wara 3000 ċiklu ta 'temperatura minn -40 grad sa 125 grad, il-kisi tal-landa jgħajjat ​​iżomm ġonot tal-istann stabbli. Mekkanikament, tgħaqqad flessibilità tajba u saħħa tal-għeja, tirreżisti l-ksur waqt il-liwi u l-istralċ. Id-degradazzjoni tal-prestazzjoni tas-sottostrat wara l-electroplating hija inqas minn 10%, u tagħmilha adattata għal rekwiżiti ta 'molding kumplessi.

 

F'termini ta 'applikazzjonijiet, fojl tar-ram miksi bil-landa-għandu applikabilità wiesgħa. Fl-elettronika tal-konsumatur, il-prodotti tal-kisi tal-landa matte jistgħu jiksbu issaldjar stabbli b'wisa 'tal-linja/spazjar ta' 30μm u huma komunement użati fil-manifattura ta 'bords taċ-ċirkwiti flessibbli. Fl-elettronika tal-karozzi, ir-reżistenza tagħha taċ-ċikli ta' temperatura għolja-tissodisfa l-ħtiġijiet ta 'komponenti bħal ECUs. L-użu ta' kisi tal-landa b'żewġ-naħat f'kaxxi tal-junction fotovoltajċi jista' jtejjeb l-effiċjenza tal-konverżjoni tal-enerġija b'0.3%. Barra minn hekk, jista 'jintuża bħala saff ta' lqugħ tal-mewġ elettromanjetiku f'tagħmir ta 'komunikazzjoni jew vantaġġi ta' preċiżjoni ta 'l-inċiżjoni fil-manifattura ta' bords ta 'ċirkwiti ta' -densità għolja.

 

F'termini ta 'żvilupp tal-proċess, inkisbu skoperti fit-teknoloġija tal-kisi tal-landa ħadra. Is-sistema ta' soluzzjoni ta' kisi bla ċjanur-tnaqqas il-valur COD tal-ilma tad-drenaġġ minn 5000 mg/L għal 50 mg/L, b'rata ta' rkupru tal-landa li taqbeż id-99.9%. Il-kisja novella Sn-Bi{-Ag liga ternarja għandha punt ta 'tidwib baxx daqs 138 grad u ħajja ta' reżistenza għat-tkaxkir li taqbeż l-10,000 siegħa f'125 grad, u tkompli tespandi l-ispazju ta 'applikazzjoni tagħha f'oqsma bħall-elettronika flessibbli.

Ibgħat l-inkjesta
Ibgħat l-inkjesta